FF7MR12W1M1HB17BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: EASY STANDARD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 56mA
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Description: EASY STANDARD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 56mA
Supplier Device Package: AG-EASY1B
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11631.83 грн |
| 24+ | 10490.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF7MR12W1M1HB17BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF7MR12W1M1HB17BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.0058 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyDUAL Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції FF7MR12W1M1HB17BPSA1 за ціною від 9778.13 грн до 15538.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF7MR12W1M1HB17BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET Modules N |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| FF7MR12W1M1HB17BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF7MR12W1M1HB17BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.0058 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyDUAL Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|