![FF6MR12W2M1HB11BPSA1 FF6MR12W2M1HB11BPSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5733/MFG_FFxMR12W2M1.jpg)
FF6MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
![Infineon-FF6MR12W2M1H_B11-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b728b3af87c7a](/images/adobe-acrobat.png)
Description: SIC 2N-CH 1200V 145A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 150A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 446nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 60mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 14857.83 грн |
15+ | 13400.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF6MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: SIC 2N-CH 1200V 145A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 150A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 446nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 60mA, Supplier Device Package: Module.
Інші пропозиції FF6MR12W2M1HB11BPSA1 за ціною від 12416.67 грн до 15980.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |