![FF600R12KT4HOSA1 FF600R12KT4HOSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4271/FF600R12KT4HOSA1.jpg)
FF600R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
![Infineon-FF600R12KT4-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc743901781bd467bb0693](/images/adobe-acrobat.png)
Description: 62MM POWER MODULE 1200 V WITH IG
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MM
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 14794.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF600R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF600R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 600A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: C-, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FF600R12KT4HOSA1 за ціною від 10514.33 грн до 21849.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF600R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FF600R12KT4HOSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 600A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: C- Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
FF600R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||
![]() |
FF600R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MM IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V |
товар відсутній |