FF225R12MS4BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 275A 1450W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 275A 1450W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 13579.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF225R12MS4BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 275A 1450W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 275 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1450 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF225R12MS4BOSA1 за ціною від 13676.44 грн до 13676.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF225R12MS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 275A 1450W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 275 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1450 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FF225R12MS4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray |
товар відсутній |