![FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/11/8/13/52/12/972509/smn_/manual/ff100r12ks4new.jpg)
FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
![7652ds_ff200r12kt4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5144.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 320 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1100 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF200R12KT4HOSA1 за ціною від 8179.82 грн до 12616.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF200R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FF200R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FF200R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 320 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FF200R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FF200R12KT4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.1kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: AG-62MM-1 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FF200R12KT4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.1kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: AG-62MM-1 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FF200R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
FF200R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
FF200R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |