Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF17MR12W1M1HB17BPSA1
FF17MR12W1M1HB17BPSA1

FF17MR12W1M1HB17BPSA1 Infineon Technologies


Виробник: Infineon Technologies
Description: EASY STANDARD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA
Supplier Device Package: AG-EASY1B
на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7488.51 грн
24+ 6652.45 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF17MR12W1M1HB17BPSA1 Infineon Technologies

Description: EASY STANDARD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 20mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA, Supplier Device Package: AG-EASY1B.

Інші пропозиції FF17MR12W1M1HB17BPSA1 за ціною від 5767.28 грн до 8133.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FF17MR12W1M1HB17BPSA1 FF17MR12W1M1HB17BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_05_02_2024_DS_FF17MR12W1M1H_B17_v0_20_en-3452440.pdf Discrete Semiconductor Modules EASY STANDARD
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+8133.28 грн
10+ 7319.46 грн
24+ 6072.01 грн
48+ 5937.98 грн
120+ 5767.28 грн