![FF17MR12W1M1HB11BPSA1 FF17MR12W1M1HB11BPSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5733/MFG_448%7EAG-EASY1B%7E%7Exx.jpg)
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
![Infineon-FF17MR12W1M1H_B11-DataSheet-v00_30-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a01882012a9ea7415](/images/adobe-acrobat.png)
Description: SIC 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7594.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FF17MR12W1M1HB11BPSA1 за ціною від 5767.28 грн до 10605.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |