FF150R12RT4HOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF150R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 790W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 790W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5826.37 грн |
| 5+ | 5450.5 грн |
| 10+ | 5073.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF150R12RT4HOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF150R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 790W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 790W, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FF150R12RT4HOSA1 за ціною від 6257.42 грн до 8285.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray |
товар відсутній |
|||||||||
 |
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 150A 790W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 790 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA |
товар відсутній |
|||||||||
| FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 34MM |
товар відсутній |