![FF1200R17KP4B2NOSA2 FF1200R17KP4B2NOSA2](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4705/IHVAFZ1682170244.jpg)
FF1200R17KP4B2NOSA2 Infineon Technologies
![Infineon-FF1200R17KP4_B2-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304320d39d590122175b5e4b07f5](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT MODULE 1700V 1200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-PRIME2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 98 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 84770.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF1200R17KP4B2NOSA2 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 1200A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: AG-PRIME2, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1700 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 1400 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 98 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF1200R17KP4B2NOSA2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF1200R17KP4B2NOSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FF1200R17KP4B2NOSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FF1200R17KP4B2NOSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |