FF1200R12IE5BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 2400A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.5 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 46458.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF1200R12IE5BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF1200R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 175 °C, Module, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: PrimePACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 1.2kA, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції FF1200R12IE5BPSA1 за ціною від 55147.71 грн до 55147.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF1200R12IE5BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF1200R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 175 °C, Module tariffCode: 85415000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: PrimePACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 1.2kA Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF1200R12IE5BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 10-Pin PRIME2-5 Tray |
товар відсутній |
|||||
|
|
FF1200R12IE5BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 10-Pin PRIME2-5 Tray |
товар відсутній |
|||||
 |
FF1200R12IE5BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 10-Pin PRIME2-5 Tray |
товар відсутній |