FF100R12RT4HOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 6800.46 грн |
| 5+ | 6358.48 грн |
| 10+ | 5635.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF100R12RT4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF100R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 555W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 555W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FF100R12RT4HOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FF100R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 555000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray |
товар відсутній |
|
 |
FF100R12RT4HOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF100R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 555W euEccn: NLR Verlustleistung: 555W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товар відсутній |
|
|
|
FF100R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 555W 7-Pin 34MM-1 Tray |
товар відсутній |
|
 |
FF100R12RT4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Power dissipation: 555W Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: AG-34MM Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
FF100R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 100A 555W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 555 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 630 nF @ 25 V |
товар відсутній |
|
| FF100R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 34MM |
товар відсутній |
||
|
|
FF100R12RT4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Power dissipation: 555W Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: AG-34MM Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V |
товар відсутній |