FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 21 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22524.32 грн |
| 10+ | 21981.9 грн |
| 24+ | 18082.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 Infineon Technologies
Description: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000pF @ 600V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 150A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 90mA, Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2, Part Status: Active.
Інші пропозиції FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 24-Pin Tray |
товар відсутній |
|
 |
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000pF @ 600V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 150A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 90mA Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2 Part Status: Active |
товар відсутній |