![FES8DT-E3/45 FES8DT-E3/45](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/D1/EC/00/00/1/52765_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=cd6c42efe939a002e989299093eb3765d8b38a17)
FES8DT-E3/45 VISHAY
![FES8DT.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 125A; TO220AC; 35ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 125A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.95V
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Reverse recovery time: 35ns
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 67.81 грн |
9+ | 43.05 грн |
25+ | 34.78 грн |
68+ | 32.87 грн |
500+ | 31.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FES8DT-E3/45 VISHAY
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 125A; TO220AC; 35ns, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 200V, Load current: 8A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 125A, Case: TO220AC, Max. forward voltage: 0.95V, Heatsink thickness: 1.14...1.39mm, Reverse recovery time: 35ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FES8DT-E3/45 за ціною від 27.97 грн до 81.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FES8DT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FES8DT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FES8DT-E3/45 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 125A; TO220AC; 35ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 125A Case: TO220AC Max. forward voltage: 0.95V Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 35ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 503 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FES8DT-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FES8DT-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |