FEP16JTA LGE
Виробник: LGE16A; 600V; ultra fast<50ns; packaging: tube; FEP16JT diode rectifying DP FEP16JT
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 25.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FEP16JTA LGE
Description: DIODE ARRAY GP 600V 16A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Anode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A, Supplier Device Package: TO-220-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції FEP16JTA за ціною від 28.64 грн до 28.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FEP16JTA | Виробник : LGE |
16A; 600V; negative CT packaging: tube; FEP16JTA diode rectifying DP FEP16JTA кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
FEP16JTA | Виробник : onsemi |
Description: DIODE ARRAY GP 600V 16A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |