![FEP16DT-E3/45 FEP16DT-E3/45](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/1/7/11/11/18/256779/vsh_/manual/vs-40ctq150-m3.jpg)
FEP16DT-E3/45 Vishay
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 32.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FEP16DT-E3/45 Vishay
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 200A; TO220AB; 35ns, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 200V, Load current: 8A x2, Max. load current: 16A, Semiconductor structure: common cathode; double, Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching, Capacitance: 85pF, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 200A, Case: TO220AB, Max. forward voltage: 0.95V, Leakage current: 0.5mA, Heatsink thickness: 1.14...1.39mm, Reverse recovery time: 35ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FEP16DT-E3/45 за ціною від 33.81 грн до 108.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FEP16DT-E3/45 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 200A; TO220AB; 35ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A x2 Max. load current: 16A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 85pF Kind of package: tube Max. forward impulse current: 200A Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.95V Leakage current: 0.5mA Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 35ns |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FEP16DT-E3/45 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 200A; TO220AB; 35ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A x2 Max. load current: 16A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 85pF Kind of package: tube Max. forward impulse current: 200A Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.95V Leakage current: 0.5mA Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 35ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FEP16DT-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FEP16DT-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FEP16DT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 13226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FEP16DT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
FEP16DT-E3/45 Код товару: 185823 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
FEP16DT-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
FEP16DT-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |