Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDY101PZ
FDY101PZ

FDY101PZ ON Semiconductor

3664027168334196fdy101pz.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.15A 3-Pin SOT-523FL T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.68 грн
6000+ 8.6 грн
15000+ 7.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDY101PZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDY101PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 8, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції FDY101PZ за ціною від 7.96 грн до 35.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDY101PZ FDY101PZ Виробник : ONSEMI FDY101PZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.15A; 0.625W; SOT523
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.625W
Gate charge: 1.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -0.15A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT523
On-state resistance: 20Ω
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+17.74 грн
25+ 14.72 грн
75+ 11.34 грн
205+ 10.72 грн
Мінімальне замовлення: 23
FDY101PZ FDY101PZ Виробник : ONSEMI FDY101PZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.15A; 0.625W; SOT523
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.625W
Gate charge: 1.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -0.15A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT523
On-state resistance: 20Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.29 грн
25+ 18.34 грн
75+ 13.61 грн
205+ 12.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDY101PZ FDY101PZ Виробник : ONSEMI 2304105.pdf Description: ONSEMI - FDY101PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 8
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+32.01 грн
31+ 26.02 грн
100+ 19.4 грн
500+ 12.45 грн
3000+ 11.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDY101PZ FDY101PZ Виробник : onsemi fdy101pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 150MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.73 грн
11+ 28.11 грн
100+ 19.16 грн
500+ 13.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDY101PZ FDY101PZ Виробник : onsemi / Fairchild FDY101PZ_D-2313325.pdf MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET
на замовлення 16267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDY101PZ Виробник : Fairchild fdy101pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.15A 3-Pin SOT-523F T/R FDY101PZ TFDY101pz
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDY101PZ Виробник : Fairchild fdy101pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SOT-523F T/R FDY100PZ TFDY100pz
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDY101PZ FDY101PZ Виробник : onsemi fdy101pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 150MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
товар відсутній