Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDU8880
FDU8880

FDU8880 Fairchild Semiconductor

FAIRS26433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 339186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
606+35.29 грн
Мінімальне замовлення: 606
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDU8880 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDU8880 за ціною від 36.12 грн до 36.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDU8880 Виробник : ONSEMI FAIRS26433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDU8880 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 339186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
729+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 729
FDU8880 Виробник : FAIRCHILD FAIRS26433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDU8880.pdf TO251
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU8880 FDU8880 Виробник : ON Semiconductor 1059750710489967fdu8880.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товар відсутній
FDU8880 FDU8880 Виробник : onsemi FDU8880.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
товар відсутній