Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDU8874
FDU8874

FDU8874 Fairchild Semiconductor

FAIR-S-A0002366331-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
365+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 365
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDU8874 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDU8874 за ціною від 59.18 грн до 59.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDU8874 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002366331-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDU8874 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
439+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 439
FDU8874 FDD%2CFDU8874.pdf FAIR-S-A0002366331-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU8874 FDU8874 Виробник : ON Semiconductor fdu8874.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FDU8874 FDU8874 Виробник : onsemi FDD%2CFDU8874.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
товар відсутній
FDU8874 FDU8874 Виробник : onsemi / Fairchild fairchild_semiconductor_fdd8874-1191209.pdf MOSFET 30V 116A 5.1OHM NCH PWR TRENCH MOSFET
товар відсутній