![FDS9958 FDS9958](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE8MSOP-40.jpg)
FDS9958 ONSEMI
![2304463.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 47.65 грн |
500+ | 30.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS9958 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDS9958 за ціною від 30.13 грн до 174.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS9958 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS9958 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS9958 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS9958 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS9958 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS9958 | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
FDS9958 Код товару: 177119 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
![]() |
FDS9958 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
FDS9958 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
FDS9958 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
FDS9958 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
FDS9958 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |