на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 15.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS9945 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDS9945 за ціною від 15.75 грн до 54.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS9945 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
fds9945 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS9945 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS9945 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS9945 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS9945 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDS9945 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
fds9945 | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS9945 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS9945 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
fds9945 | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 121 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
fds9945 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 8509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
fds9945 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 |
на замовлення 40389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS9945 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| fds9945 | Виробник : Fairchild |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC FDS9945 TFDS9945 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
FDS9945 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
FDS9945 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
FDS9945 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
FDS9945 Код товару: 24988 |
Виробник : FS |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Idd,A: 3,5 A Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 420/8 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
товар відсутній
|