FDS9933A onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 31.36 грн |
| 5000+ | 28.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS9933A onsemi
Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A, hazardous: true, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDS9933A за ціною від 26.27 грн до 76.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS9933A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS9933A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS9933A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS9933A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V |
на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS9933A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 11983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS9933A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDS9933A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDS9933A | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.8A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDS9933A | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.8A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |