![FDS8958A FDS8958A](/img/so-8.jpg)
FDS8958A Fairchild
![fds8958a-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 34126
Виробник: FairchildUds,V: 30 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/10,7
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 45 шт:
33 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 16.5 грн |
10+ | 14.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDS8958A за ціною від 20.49 грн до 137.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS8958A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 77500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 77500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 27218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40/80mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40/80mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 27218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 5132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDS8958A | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
SP8M3FU6TB Код товару: 26073 |
![]() |
![]() |
Виробник: Rohm
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 230/3,9
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 230/3,9
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 106 шт
100 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
очікується:
15 шт
15 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 29 грн |
10+ | 27 грн |
BZX55-C12 Код товару: 26387 |
![]() |
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
у наявності: 3255 шт
2871 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
99 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Одеса
256 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
99 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Одеса
256 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 2 грн |
16+ | 1.3 грн |
100+ | 1 грн |
1000+ | 0.8 грн |
SCB0704-102М (1000uH, ±20%, 0.18A, 6.0 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm; в броньовому осерді) Anla Tech (дросель силовий) Код товару: 39169 |
![]() |
Виробник: AnlaTech/IH
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 1 mH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 1000uH, ±20%, Idc=0.18А, Rdc=6.0 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm
Тип: SCB0704
Габарити: 7,3x7,3мм, h=4,6мм
Робочий струм, А: 0.18A
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 1 mH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 1000uH, ±20%, Idc=0.18А, Rdc=6.0 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm
Тип: SCB0704
Габарити: 7,3x7,3мм, h=4,6мм
Робочий струм, А: 0.18A
у наявності: 808 шт
674 шт - склад
49 шт - РАДІОМАГ-Київ
28 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
49 шт - РАДІОМАГ-Київ
28 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 16 грн |
10+ | 14.5 грн |
100+ | 12.9 грн |
IGW60T120 Код товару: 114731 |
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200
Vce: 1,7 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 375 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/9,4
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200
Vce: 1,7 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 375 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/9,4
товар відсутній
22 Ohm 5% 1W вив. (CR100SJTB-22R-Hitano) Код товару: 1679 |
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 22 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 1 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив = 0,64 mm
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 22 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 1 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив = 0,64 mm
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
у наявності: 1654 шт
999 шт - склад
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
70 шт - РАДІОМАГ-Львів
158 шт - РАДІОМАГ-Харків
144 шт - РАДІОМАГ-Одеса
250 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
70 шт - РАДІОМАГ-Львів
158 шт - РАДІОМАГ-Харків
144 шт - РАДІОМАГ-Одеса
250 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 1.6 грн |
100+ | 1.2 грн |
1000+ | 1 грн |