Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS8949
FDS8949

FDS8949 ON Semiconductor

fds8949-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8949 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS8949 за ціною від 28.09 грн до 139.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS8949 FDS8949 Виробник : onsemi fds8949-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+33.34 грн
5000+ 30.58 грн
12500+ 29.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8949 FDS8949 Виробник : ON Semiconductor fds8949-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.86 грн
5000+ 34.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8949 FDS8949 Виробник : ON Semiconductor fds8949-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+36.45 грн
5000+ 34.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8949 FDS8949 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+51.91 грн
500+ 40.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS8949 FDS8949 Виробник : onsemi fds8949-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 15792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.66 грн
10+ 63.52 грн
100+ 49.39 грн
500+ 39.29 грн
1000+ 32.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS8949 FDS8949 Виробник : onsemi / Fairchild FDS8949_D-2313285.pdf MOSFET 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
на замовлення 96489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.93 грн
10+ 67.08 грн
100+ 45.37 грн
500+ 38.47 грн
1000+ 31.36 грн
2500+ 29.48 грн
5000+ 28.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS8949 FDS8949 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+92.25 грн
11+ 71.85 грн
100+ 51.91 грн
500+ 40.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDS8949 FDS8949 Виробник : ONSEMI FDS8949.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+116.49 грн
7+ 57.35 грн
20+ 42.83 грн
54+ 40.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS8949 FDS8949 Виробник : ONSEMI FDS8949.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.78 грн
5+ 71.47 грн
20+ 51.4 грн
54+ 48.78 грн
500+ 46.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS8949 Виробник : Fairchild fds8949-d.pdf 2N-MOSFET 40V 6A 29mΩ 2W FDS8949 Fairchild TFDS8949
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS8949
Код товару: 162449 		fds8949-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDS8949 FDS8949 Виробник : ON Semiconductor fds8949-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8949 FDS8949 Виробник : ON Semiconductor fds8949-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній