FDS89161LZ onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 302pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 41.93 грн |
| 5000+ | 38.45 грн |
| 12500+ | 36.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS89161LZ onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 302pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDS89161LZ за ціною від 37.15 грн до 110.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS89161LZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 302pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS89161LZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET PT5 100V Logic Level with Zener |
на замовлення 71803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS89161LZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 31W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 182mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDS89161LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDS89161LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDS89161LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDS89161LZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 31W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 182mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |