Продукція > ONSEMI > FDS89161
FDS89161

FDS89161 onsemi

fds89161-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+49.03 грн
5000+ 45.44 грн
12500+ 43.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS89161 onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDS89161 за ціною від 31.69 грн до 115.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS89161 FDS89161 Виробник : ON Semiconductor 3295210171995354fds89161.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS89161 FDS89161 Виробник : ON Semiconductor 3295210171995354fds89161.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS89161 FDS89161 Виробник : ON Semiconductor 3295210171995354fds89161.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS89161 FDS89161 Виробник : ONSEMI FDS89161.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 31W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+79.85 грн
13+ 68.97 грн
34+ 65.34 грн
500+ 62.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS89161 FDS89161 Виробник : ON Semiconductor 3295210171995354fds89161.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
122+99.78 грн
139+ 87.19 грн
140+ 86.56 грн
167+ 69.93 грн
250+ 64.24 грн
500+ 53.68 грн
1000+ 46.43 грн
Мінімальне замовлення: 122
FDS89161 FDS89161 Виробник : onsemi fds89161-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 20725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.56 грн
10+ 86.97 грн
100+ 69.22 грн
500+ 54.97 грн
1000+ 46.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS89161 FDS89161 Виробник : onsemi / Fairchild FDS89161_D-2313005.pdf MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 14268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.58 грн
10+ 92.17 грн
100+ 64.74 грн
250+ 63 грн
500+ 55.75 грн
1000+ 48.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS89161 FDS89161 Виробник : ON Semiconductor 3295210171995354fds89161.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+114.71 грн
10+ 94.94 грн
25+ 94 грн
100+ 71.72 грн
250+ 65.74 грн
500+ 52.99 грн
1000+ 43.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS89161 FDS89161 Виробник : ONSEMI FDS89161.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 31W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.39 грн
5+ 99.51 грн
13+ 82.76 грн
34+ 78.4 грн
500+ 74.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS89161 Виробник : Fairchild fds89161-d.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 176mOhm; 2,7A; 31W; -55°C ~ 150°C; FDS89161 TFDS89161
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS89161 FDS89161 Виробник : ON Semiconductor 3295210171995354fds89161.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS89161 FDS89161 Виробник : ON Semiconductor 3295210171995354fds89161.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній