Продукція > ONSEMI > FDS89141
FDS89141

FDS89141 onsemi

fds89141-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+89 грн
5000+ 82.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS89141 onsemi

Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 31W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 31W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDS89141 за ціною від 84.67 грн до 253.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+91.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+91.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+123.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+139.66 грн
10+ 126.86 грн
25+ 126.34 грн
100+ 88.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
81+150.4 грн
89+ 136.06 грн
123+ 94.85 грн
Мінімальне замовлення: 81
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+159.85 грн
5000+ 146.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS89141 FDS89141 Виробник : onsemi fds89141-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.51 грн
10+ 157.89 грн
100+ 125.66 грн
500+ 99.78 грн
1000+ 84.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS89141 FDS89141 Виробник : ONSEMI FDS89141.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; 31W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 31W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.08 грн
3+ 172.78 грн
7+ 128.49 грн
19+ 121.23 грн
500+ 118.33 грн
1000+ 116.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS89141 FDS89141 Виробник : onsemi / Fairchild FDS89141_D-2312937.pdf MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.65 грн
10+ 175.52 грн
100+ 121.96 грн
500+ 103.14 грн
1000+ 87.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS89141 FDS89141 Виробник : ONSEMI fds89141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+237.67 грн
10+ 171.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS89141 FDS89141 Виробник : ONSEMI FDS89141.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; 31W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 31W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.3 грн
3+ 215.31 грн
7+ 154.19 грн
19+ 145.48 грн
500+ 142 грн
1000+ 140.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS89141 FDS89141 Виробник : ONSEMI 2303827.pdf Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047
Verlustleistung, p-Kanal: 31
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS89141 FDS89141 Виробник : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній