![FDS8884 FDS8884](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1028/261%3BMKT-M08A%3BM%2CD%2CTF%3B8.jpg)
FDS8884 onsemi
![FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 16.33 грн |
5000+ | 14.89 грн |
12500+ | 13.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8884 onsemi
Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDS8884 за ціною від 10.64 грн до 51.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS8884 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS8884 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS8884 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS8884 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS8884 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS8884 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V |
на замовлення 20577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS8884 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 10300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS8884 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS8884 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
FDS8884 | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
FDS8884 Код товару: 34721 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDS8884 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
FDS8884 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
FDS8884 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |