FDS8880 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.04 грн |
| 5000+ | 19.2 грн |
| 12500+ | 17.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8880 onsemi
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.0079 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDS8880 за ціною від 17.33 грн до 67.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8880 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 11.6A On-state resistance: 16.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W |
на замовлення 474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8880 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 46166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8880 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 11.6A On-state resistance: 16.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 474 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8880 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V |
на замовлення 19919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8880 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.0079 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS8880 | Виробник : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDS8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDS8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |