Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS8842NZ
FDS8842NZ

FDS8842NZ ON Semiconductor

3651904331436628fds8842nz.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8842NZ ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS8842NZ за ціною від 29.34 грн до 136.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS8842NZ FDS8842NZ Виробник : onsemi fds8842nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.99 грн
5000+ 29.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8842NZ FDS8842NZ Виробник : ON Semiconductor 3651904331436628fds8842nz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.75 грн
5000+ 45.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8842NZ FDS8842NZ Виробник : ON Semiconductor 3651904331436628fds8842nz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.36 грн
5000+ 46.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8842NZ FDS8842NZ Виробник : onsemi fds8842nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.65 грн
10+ 60.91 грн
100+ 47.39 грн
500+ 37.7 грн
1000+ 30.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS8842NZ FDS8842NZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS8842NZ_D-2313101.pdf MOSFET 40V NCh PowerTrench w/MOSFET
на замовлення 14114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.4 грн
10+ 109.8 грн
100+ 77.36 грн
500+ 63.21 грн
1000+ 52.41 грн
2500+ 44.81 грн
5000+ 44.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS8842NZ Виробник : ONSEMI 2907404.pdf Description: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+86.78 грн
500+ 56.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS8842NZ Виробник : ONSEMI 2907404.pdf Description: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 14.9
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+136.03 грн
10+ 111.8 грн
100+ 86.78 грн
500+ 56.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS8842NZ FDS8842NZ Виробник : ON Semiconductor 3651904331436628fds8842nz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8842NZ FDS8842NZ Виробник : ON Semiconductor 3651904331436628fds8842nz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній