Продукція > ONSEMI > FDS8672S
FDS8672S

FDS8672S ONSEMI

2013370.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8672S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 18
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 28
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8672S ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS8672S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 18, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції FDS8672S за ціною від 28.64 грн до 134.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS8672S FDS8672S Виробник : ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 14746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 21
FDS8672S FDS8672S Виробник : ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 14746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
392+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 392
FDS8672S FDS8672S Виробник : ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
184+65.9 грн
Мінімальне замовлення: 184
FDS8672S FDS8672S Виробник : ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+68.48 грн
10+ 67.44 грн
25+ 66.4 грн
50+ 63.02 грн
100+ 57.42 грн
250+ 54.24 грн
500+ 53.34 грн
1000+ 52.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDS8672S FDS8672S Виробник : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002366298-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
на замовлення 361213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
307+68.89 грн
Мінімальне замовлення: 307
FDS8672S FDS8672S Виробник : onsemi fds8672s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.94 грн
10+ 108.02 грн
100+ 86 грн
500+ 68.29 грн
1000+ 57.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS8672S FDS8672S Виробник : ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8672S FDS8672S Виробник : onsemi fds8672s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS8672S FDS8672S Виробник : onsemi / Fairchild FDS8672S_D-2313155.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
товар відсутній