на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 36.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS86106 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDS86106 за ціною від 32.58 грн до 96.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS86106 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 50 V |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS86106 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS86106 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS86106 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 50 V |
на замовлення 36229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS86106 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 24078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|