Продукція > ONSEMI > FDS6975.
FDS6975.

FDS6975. ONSEMI

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6975. - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+59.73 грн
500+ 52.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6975. ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS6975. - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDS6975. за ціною від 52.2 грн до 89.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6975. FDS6975. Виробник : ONSEMI Description: ONSEMI - FDS6975. - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+89.91 грн
11+ 74.97 грн
100+ 59.73 грн
500+ 52.2 грн
Мінімальне замовлення: 9