![FDS6930B FDS6930B](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/A9/A5/40/00/0/285338_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f0bee21ffea27f905e10bd7bef271cd4e2b785fe)
FDS6930B ONSEMI
![FDS6930B.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 33.38 грн |
25+ | 29.62 грн |
39+ | 22.21 грн |
106+ | 20.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6930B ONSEMI
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDS6930B за ціною від 13.66 грн до 48.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS6930B | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8 Kind of package: reel; tape Case: SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.5A On-state resistance: 62mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 3.8nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2429 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS6930B | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS6930B | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 31934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS6930B | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
FDS6930B Код товару: 118461 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6930B | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDS6930B | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDS6930B | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товар відсутній |