Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6912A
FDS6912A

FDS6912A ON Semiconductor

fds6912a-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
221+54.75 грн
223+ 54.2 грн
303+ 39.87 грн
315+ 36.99 грн
535+ 20.15 грн
Мінімальне замовлення: 221
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6912A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS6912A за ціною від 17.96 грн до 66.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6912A FDS6912A Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.65 грн
10+ 46.28 грн
100+ 32.02 грн
500+ 25.11 грн
1000+ 21.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS6912A FDS6912A Виробник : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+59.66 грн
12+ 50.84 грн
25+ 50.33 грн
100+ 35.7 грн
250+ 31.81 грн
500+ 17.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDS6912A FDS6912A Виробник : onsemi / Fairchild FDS6912A_D-2313001.pdf MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.89 грн
10+ 52.13 грн
100+ 32.47 грн
500+ 28.16 грн
1000+ 22.53 грн
2500+ 20.37 грн
5000+ 19.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS6912A FDS6912A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+66.6 грн
15+ 55.06 грн
100+ 34.86 грн
500+ 27.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDS6912A Виробник : ON-Semicoductor ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; FDS6912A TFDS6912a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS6912A
Код товару: 148756 		ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
FDS6912A FDS6912A Виробник : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6912A FDS6912A Виробник : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6912A FDS6912A Виробник : ONSEMI FDS6912A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 8.1nC
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 28mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS6912A FDS6912A Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товар відсутній
FDS6912A FDS6912A Виробник : ONSEMI FDS6912A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 8.1nC
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 28mΩ
товар відсутній