Технічний опис FDS6911 ON Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 20A; 1.6W; SO8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: PowerTrench®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 7.5A, Pulsed drain current: 20A, Power dissipation: 1.6W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 20mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 24nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: logic level, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDS6911
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6911 | Виробник : ON Semiconductor |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC |
на замовлення 13803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
FDS6911 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET LOW VOLTAGE |
на замовлення 3767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
|
FDS6911 | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDS6911 | Виробник : FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 1618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FDS6911 | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 20A; 1.6W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
FDS6911 | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 20A; 1.6W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
товар відсутній |