Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6898AZ
FDS6898AZ

FDS6898AZ ON Semiconductor

fds6898az-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6898AZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS6898AZ за ціною від 30.52 грн до 100.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : ON Semiconductor fds6898az.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : onsemi fds6898az-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.8 грн
5000+ 31.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : ON Semiconductor fds6898az-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : ON Semiconductor fds6898az-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+71.23 грн
11+ 59.61 грн
100+ 49.89 грн
500+ 41.82 грн
1000+ 32.45 грн
2500+ 30.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : onsemi fds6898az-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 13376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.43 грн
10+ 66.28 грн
100+ 51.56 грн
500+ 41.01 грн
1000+ 33.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS6898AZ_D-2312935.pdf MOSFETs SO-8
на замовлення 5421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.06 грн
10+ 72.93 грн
100+ 49.41 грн
500+ 41.88 грн
1000+ 34.08 грн
2500+ 33.59 грн
5000+ 33.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : ONSEMI 2304332.pdf Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+100.07 грн
11+ 76.15 грн
100+ 55.43 грн
500+ 35.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS6898AZ Виробник : Fairchild fds6898az-d.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6898AZ Виробник : FAIRCHILD fds6898az-d.pdf 07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6898AZ Виробник : FAIRCHILD fds6898az-d.pdf 09+
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6898AZ Виробник : FAIRCHILD fds6898az-d.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : ON Semiconductor fds6898az-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6898AZ FDS6898AZ Виробник : ON Semiconductor fds6898az-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній