Інші пропозиції FDS6898A за ціною від 12.57 грн до 624 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS6898A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS6898A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS6898A | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS6898A | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS6898A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 4502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS6898A | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2443 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS6898A | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 21224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDS6898A | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS6898A | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDS6898A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDS6898A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDS6898A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |