Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6890A
FDS6890A

FDS6890A ON Semiconductor

fds6890a-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6890A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS6890A за ціною від 18.54 грн до 123.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6890A FDS6890A Виробник : onsemi fds6890a-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+43.6 грн
5000+ 39.98 грн
12500+ 38.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6890A FDS6890A Виробник : ON Semiconductor fds6890a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6890A FDS6890A Виробник : ON Semiconductor fds6890a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6890A FDS6890A Виробник : ONSEMI 2304019.pdf Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+73.15 грн
500+ 62.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS6890A FDS6890A Виробник : onsemi fds6890a-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 14734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.29 грн
10+ 83.06 грн
100+ 64.58 грн
500+ 51.38 грн
1000+ 41.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS6890A FDS6890A Виробник : onsemi / Fairchild FDS6890A_D-2313122.pdf MOSFET SO-8 DUAL N-CH 20V
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.55 грн
10+ 91.14 грн
100+ 61.6 грн
500+ 52.21 грн
1000+ 42.55 грн
2500+ 41.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS6890A FDS6890A Виробник : ONSEMI 2304019.pdf Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+123.22 грн
10+ 92.81 грн
100+ 68.63 грн
500+ 59.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS6890A Виробник : Fairchild fds6890a-d.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 8V; 34mOhm; 7,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS6890A TFDS6890a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDS6890A FDS6890A Виробник : ON Semiconductor fds6890a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6890A FDS6890A Виробник : ON Semiconductor fds6890a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній