Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS6685
FDS6685

FDS6685 Fairchild Semiconductor

FAIRS16161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
на замовлення 19131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
217+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 217
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6685 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS6685 за ціною від 105.54 грн до 105.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6685 FDS6685 Виробник : ONSEMI FAIRS16161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS6685 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 19131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
261+105.54 грн
Мінімальне замовлення: 261
FDS6685 Виробник : FAIRCHILD FAIRS16161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6685.pdf 07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6685 Виробник : FAIRCHILD FAIRS16161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6685.pdf 09+
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6685 Виробник : FAIRCHILD FAIRS16161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6685.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6685 Виробник : FSC FAIRS16161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6685.pdf
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6685 Виробник : FSC FAIRS16161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6685.pdf 09+ SO-8
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6685 FDS6685 Виробник : onsemi FDS6685.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS6685 FDS6685 Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS16161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6685.pdf MOSFET SO-8 SGL P-CH -30V
товар відсутній