![FDS6675BZ FDS6675BZ](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/28/17/39/1/137722/ons_/manual/fan6292cmx.jpg)
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 22.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6675BZ ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDS6675BZ за ціною від 18.96 грн до 76.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS6675BZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V |
на замовлення 112500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm |
на замовлення 28745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A On-state resistance: 21.8mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD Case: SO8 |
на замовлення 2368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A On-state resistance: 21.8mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2368 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V |
на замовлення 115090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 31955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm |
на замовлення 28745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
FDS6675BZ | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ Код товару: 57036 |
Виробник : ON |
![]() Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Id,A: 11 А Rds(on),Om: 0,015 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1855/44 |
товар відсутній
|