![FDS6675 FDS6675](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1028/261;MKT-M08A;M,D,TF;8.jpg)
FDS6675 onsemi
![fds6675-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 4752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
307+ | 68.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6675 onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.
Інші пропозиції FDS6675 за ціною від 98.51 грн до 98.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS6675 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
FDS6675 | Виробник : FAI |
![]() |
на замовлення 3056 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS6675 | Виробник : FAI |
![]() |
на замовлення 185 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS6675 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS6675 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS6675 | Виробник : FDS |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS6675 | Виробник : FSC |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS6675 Код товару: 160949 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||
![]() |
FDS6675 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
FDS6675 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 |
товар відсутній |
|||||
![]() |
FDS6675 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 |
товар відсутній |
|||||
![]() |
FDS6675 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |