FDS6576 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 32.84 грн |
| 5000+ | 30.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6576 onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDS6576 за ціною від 28.4 грн до 79.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6576 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6576 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6576 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 P-CH -20V |
на замовлення 24702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6576 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V |
на замовлення 7177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6576 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDS6576 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDS6576 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDS6576 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |