Технічний опис FDS6574A onsemi
Description: ONSEMI - FDS6574A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 16, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600, Verlustleistung: 2.5, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FDS6574A за ціною від 27.8 грн до 27.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS6574A | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 |
на замовлення 2891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||
FDS6574A | Виробник : onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||
FDS6574A | Виробник : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 9mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; FDS6574A TFDS6574a кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
FDS6574A Код товару: 175545 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||
FDS6574A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||
FDS6574A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6574A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 16 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
||||||
FDS6574A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8 Polarisation: unipolar Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 105nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 16A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
FDS6574A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8 Polarisation: unipolar Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 105nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 16A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W |
товар відсутній |