FDS5672 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 51.42 грн |
| 5000+ | 47.65 грн |
| 12500+ | 46.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS5672 onsemi
Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDS5672 за ціною від 36.29 грн до 135.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS5672 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung: 2.5 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS5672 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 17077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS5672 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET |
на замовлення 45476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS5672 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS5672 | Виробник : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5672 TFDS5672 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
FDS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDS5672 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 45nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDS5672 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 45nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 |
товар відсутній |