FDS4935A Fairchild
Код товару: 40550
Виробник: FairchildКорпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 7 А
Rds(on),Om: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1233/15
Монтаж: SMD
у наявності 7 шт:
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDS4935A за ціною від 25.69 грн до 83.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS4935A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 24718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFETs -30V Dual |
на замовлення 40482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; FDS4935A TFDS4935a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF7316 Код товару: 3743 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 4,9 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/23
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 4,9 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/23
Монтаж: SMD
у наявності: 115 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 22.5 грн |
10+ | 19.8 грн |
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (резистор SMD) Код товару: 3689 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 4654 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
400+ | 0.15 грн |
1000+ | 0.12 грн |
49,9 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-49K9-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1940 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 49,9 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 49,9 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 4762 шт
очікується:
15000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
400+ | 0.15 грн |
1000+ | 0.12 грн |
10000+ | 0.09 грн |
47uF 35V EZV SMD sizeC 6.3x5.7 (low imp.) (EZV470M35RC) (електролітичний конденсатор SMD низькоімпедансний) Код товару: 23420 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EZV-SMD низькоімпедансні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size C
Макс.пульс.струм: 230mA
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EZV-SMD низькоімпедансні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size C
Макс.пульс.струм: 230mA
у наявності: 1964 шт
очікується:
5000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 3 грн |
19+ | 2.68 грн |
100+ | 2.47 грн |
1000+ | 2.1 грн |
IRF7416TRPBF Код товару: 25625 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 158 шт
очікується:
20 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 26 грн |
10+ | 22.4 грн |
100+ | 19.9 грн |