![FDS4685 FDS4685](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/28/17/39/1/137722/ons_/manual/fan6292cmx.jpg)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 30.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4685 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDS4685 за ціною від 27.09 грн до 93.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS4685 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS4685 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS4685 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS4685 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 21776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS4685 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 42mΩ Kind of package: reel; tape Technology: PowerTrench® Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET Drain current: -8.2A Drain-source voltage: -40V |
на замовлення 1112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS4685 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V |
на замовлення 20360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS4685 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 8609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS4685 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 42mΩ Kind of package: reel; tape Technology: PowerTrench® Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET Drain current: -8.2A Drain-source voltage: -40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1112 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS4685 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 21776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDS4685 | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDS4685 Код товару: 82291 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS4685 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDS4685 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |