Продукція > ONSEMI > FDS4465
FDS4465

FDS4465 onsemi

fds4465-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.87 грн
5000+ 43.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4465 onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDS4465 за ціною від 45.95 грн до 130.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS4465 FDS4465 Виробник : ONSEMI FDS4465.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+108.67 грн
5+ 86.39 грн
14+ 61.71 грн
38+ 58.8 грн
500+ 57.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4465 FDS4465 Виробник : onsemi fds4465-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.1 грн
10+ 91.18 грн
100+ 70.92 грн
500+ 56.41 грн
1000+ 45.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4465 FDS4465 Виробник : onsemi / Fairchild FDS4465_D-2312907.pdf MOSFETs SO-8
на замовлення 5837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.4 грн
10+ 100.98 грн
100+ 68.09 грн
500+ 55.75 грн
1000+ 46.97 грн
2500+ 46.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4465 FDS4465 Виробник : ONSEMI FDS4465.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.4 грн
5+ 107.65 грн
14+ 74.05 грн
38+ 70.56 грн
500+ 68.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4465 FDS4465 Виробник : ON Semiconductor fds4465-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4465 FDS4465 Виробник : ON Semiconductor fds4465-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4465 FDS4465 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002363634-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS4465 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4465 Виробник : ON-Semicoductor fds4465-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDS4465 FDS4465 Виробник : ON Semiconductor fds4465-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4465 FDS4465 Виробник : ON Semiconductor fds4465-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній