![FDS4435BZ FDS4435BZ](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/11a180157b8c46a399cfb2d6824c7d9dd8c56ec1/fan6292cmx.jpg)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 17.35 грн |
5000+ | 16.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4435BZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDS4435BZ за ціною від 15.16 грн до 102.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS4435BZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 34168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS4435BZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 80618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS4435BZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 34168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS4435BZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V |
на замовлення 4355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS4435BZ | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS4435BZ | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1351 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDS4435BZ | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4435BZ Код товару: 45479 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
FDS4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDS4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDS4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDS4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDS4435BZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V |
товар відсутній |