Продукція > ONSEMI > FDS3672
FDS3672

FDS3672 ONSEMI

2298619.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+69.96 грн
500+ 55.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3672 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDS3672 за ціною від 35.67 грн до 124 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS3672 FDS3672 Виробник : ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
124+97.36 грн
126+ 96.4 грн
162+ 74.58 грн
250+ 71.18 грн
500+ 55.44 грн
1000+ 42.06 грн
Мінімальне замовлення: 124
FDS3672 FDS3672 Виробник : onsemi fds3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.29 грн
10+ 82.99 грн
100+ 64.52 грн
500+ 51.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3672 FDS3672 Виробник : ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+111.27 грн
10+ 90.4 грн
25+ 89.51 грн
100+ 66.78 грн
250+ 61.2 грн
500+ 49.42 грн
1000+ 39.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS3672 FDS3672 Виробник : onsemi / Fairchild FDS3672_D-2312785.pdf MOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
на замовлення 12140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.36 грн
10+ 91.94 грн
100+ 62.36 грн
500+ 52.84 грн
1000+ 42.96 грн
2500+ 42.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3672 FDS3672 Виробник : ONSEMI 2298619.pdf Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+124 грн
10+ 93.59 грн
100+ 69.96 грн
500+ 55.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS3672 Виробник : Fairchild fds3672-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS3672 FDS3672
Код товару: 38205 		fds3672-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDS3672 FDS3672 Виробник : ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3672 FDS3672 Виробник : ON Semiconductor 3652179986670369fds3672.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3672 FDS3672 Виробник : ONSEMI fds3672-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS3672 FDS3672 Виробник : onsemi fds3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
товар відсутній
FDS3672 FDS3672 Виробник : ONSEMI fds3672-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній