![FDS3590 FDS3590](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3F/80/C0/00/0/788723_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new_render3d.png&wat_scale=100p&ci_sign=9afc7c7650ba6126cace1d548d0fd8558b13e99a)
FDS3590 ONSEMI
![fds3590-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 59.42 грн |
9+ | 43.41 грн |
25+ | 38.33 грн |
26+ | 33.61 грн |
70+ | 31.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS3590 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDS3590 за ціною від 25.17 грн до 71.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS3590 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS3590 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 6.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 86mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2129 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS3590 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
FDS3590 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
FDS3590 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
FDS3590 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V |
товар відсутній |